1. 無需冷卻加熱，從而減少電能損失;

2. 不停機(jī)拆機(jī)，提高了工人的生產(chǎn)能力和工作效率，增加了企業(yè)的效益;

3.重要的是熔融中的雜質(zhì)通過濾網(wǎng)過濾，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量，直觀的反映了外觀的光滑度;

4. 通過過濾熔體中的雜質(zhì)，減少了雜質(zhì)對模具造成的磨損，延長了模具的使用壽命;

5. 增加換網(wǎng)裝置，相當(dāng)于延長了流道長度，提高了熔體的可塑性和均勻性，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。

液壓不停機(jī)換網(wǎng)器在生產(chǎn)線上應(yīng)用的主要功能是過濾熔體中的雜質(zhì)，為后續(xù)的順序提供干凈的熔體;該換網(wǎng)裝置的應(yīng)用還可以提高熔體的塑化、均質(zhì)效果，提高產(chǎn)品質(zhì)量

質(zhì)地更均勻，表面質(zhì)量和光潔度更好。與手動換網(wǎng)器相比，液壓換網(wǎng)器可以在不停機(jī)的情況下更換濾網(wǎng)，節(jié)約能源，降低能耗。同時可以增加產(chǎn)量，降低勞動強(qiáng)度。

提高換網(wǎng)器的清洗效果

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換網(wǎng)器的清洗分為三個步驟:TEG清洗、高壓水槍清洗和超聲波清洗。

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為延長三甘醇的蒸煮時間，三甘醇為無色透明中性油狀液體，沸點(diǎn)為276℃。加熱后對聚酯有醇解和溶解作用。三聚乙二醇清洗是在三聚乙二醇溶劑的作用下，通過加熱和蒸煮使聚酯熔體溶解在換網(wǎng)機(jī)上。剛?cè)∠碌娜垠w濾芯，用聚酯熔體包裹，必須在TEG蒸煮器中煮熟，285℃下取出4H;當(dāng)移除濾芯時，發(fā)現(xiàn)有些熔體不能完全溶解。因此，恒溫時間從4H增加到6h以上，以溶解濾芯上粘附的所有熔體;同時，采用二次TEG蒸煮方法，即將取出的濾芯裝入吊籃進(jìn)行二次蒸煮，從而進(jìn)一步提高蒸煮清洗效果。

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加強(qiáng)高壓水槍對TEG烹飪?yōu)V芯的清洗，因其臟，必須用高壓水槍清洗。但是，使用了外部濾網(wǎng)更換器，雜質(zhì)仍然留在濾網(wǎng)的外層。因此，需要使用專門的高壓水槍將雜質(zhì)從內(nèi)部沖到外部。同時，拆除濾芯的外保護(hù)罩，增強(qiáng)清洗效果。為了清潔濾芯在很大程度上,拿出10過濾元素隨機(jī)從一組過濾器的元素,消除隨機(jī)5外鐵覆蓋,用高壓水槍清洗濾芯,然后用超聲波清洗濾芯2小時,泡點(diǎn)測試。比較結(jié)果如表2所示?？梢钥闯觯诟邏核畼寷_洗和超聲波清洗階段，拆除濾芯外鐵蓋更容易清洗濾芯。

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為了加強(qiáng)超聲波清洗，小分子雜質(zhì)在高壓下容易擠進(jìn)濾芯內(nèi)，用高壓水槍很難把它們沖出來，因此有必要進(jìn)行超聲波清洗。為了找出更好的清洗時間，進(jìn)行了一組實(shí)驗(yàn)，結(jié)果如表3所示。單獨(dú)增加超聲波清洗時間并不是更好的方法。因此，超聲波清洗時間可以設(shè)定在2 ~ 3小時。

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超聲波清洗后，有些雜質(zhì)被清除，但有些仍留在濾網(wǎng)中。為了去除這部分雜質(zhì)，建立了1.6Mpa的蒸汽反吹生產(chǎn)線，很大程度上去除內(nèi)部雜質(zhì)。實(shí)踐證明，效果顯著。

換網(wǎng)機(jī)芯芯清洗的工藝條件

a.水解。96 x lo5pa，流速1kg / D，溫度270℃，清洗時間5h。

b。堿洗滌。NaOH溶液濃度為10%，恒溫70℃，清洗時間為6h。把燈芯轉(zhuǎn)兩到三次。

超聲波清洗。超聲波清洗至水不渾濁(& gt;8 h)。

d。干燥。用壓縮空氣將燈芯吹干，放入烤箱烤2小時。烘箱溫度不應(yīng)高于200℃。冷卻后取出放入塑料袋。

結(jié)果表明，改進(jìn)后的水解法具有清洗時間短、效果好、再生再利用次數(shù)多、工藝簡單、操作方便、易于掌握、設(shè)備投資少、輔助強(qiáng)還原劑Na2S2O3成本低等優(yōu)點(diǎn)，但設(shè)備潛力較小。因此，改進(jìn)后的水解方法值得在中小李化纖廠推廣應(yīng)用。

換網(wǎng)殼清洗工藝條件

自動換網(wǎng)裝置廣泛應(yīng)用于滌綸和紡絲生產(chǎn)線。其主要作用是去除熔體中的有機(jī)熔體、碳化顆粒、金屬氧化物等固體雜質(zhì)，提高產(chǎn)品質(zhì)量，為下游工藝提供合格的原料，保證下游工藝的正常生產(chǎn)。

殼吊到Al203流化床爐為4 h,恒定的溫度是470℃,除濕的空氣流量是12.5 m3 / h,空氣壓力5.0 x105pa Al203流化床砂的粒度150目,和流化床的裝載量砂僅限于沉浸插件殼。